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关于氧化铟纳米纤维

2017-10-29 10:04:13点击:
静电纺丝

来源:电纺期刊

 

In2O3 作为一种典型的N 型半导体材料,具有一个较宽的直接带隙(3.75eV)和一个间接带隙(2.62eV)。由于In2O3 具有较高的电导率、化学稳定性和较低的电子亲和力,使In2O3 在半导体传感器、平板显示器、太阳能转化等微电子领域表现出极大的应用前景。

 

据相关文献报道,In2O3 的微观尺寸、形貌和结构特点对In2O3 半导体器件的性能有着重要影响。特别是对于气体传感器,其性能与氧化铟的有效表面区域和孔隙率有着极大的关系。对于检测低浓度状态下的汽油、酒精、氨气、丁烷等有害气体方面,基于氧化铟材料的气体传感器有着极高的灵敏度。

 

例如,直径为60nm 的In2O3 纤维对乙醇具有快速响应/恢复能力,可用来制作高性能气敏传感器;掺杂Pd 的In2O3 纳米纤维对于乙醇的响应信号明显特高,检测下限低至1ppm;通过Ag 和Pt 的掺杂,In2O3 电纺纤维可对甲醛和H2S显示出良好的响应和选择性,在有毒气体的检测方面有潜在的应用。

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